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南大光電:公司光刻膠產(chǎn)品順利推進


來源:集微網(wǎng)

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10月10日,南大光電接受投資者提問時表示,公司研制出的光刻膠產(chǎn)品于2020年初進入客戶端測試,預(yù)計需要12-18個月的時間,目前客戶驗證正在順利推進。

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南大光電稱,公司承接的“ArF光刻膠開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”按項目計劃于2020年底2021年初接受國家02專項專家組的驗收,具體驗收時間會根據(jù)專家組的通知安排調(diào)整。

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目前,南大光電已安裝完成一條 193nm 光刻膠生產(chǎn)線,正在調(diào)試。

193nm 光刻膠作為當(dāng)前高端芯片制造( AI 芯片、5G 芯片、大容量存儲器和云計算芯片等)中最為核心的原材料,被喻為半導(dǎo)體工業(yè)的“血液”,可以用于 90nm~14nm 技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝。


據(jù)了解,南大光電成立子公司寧波南大光電,全力推光刻膠進項目落實實施。公司組建了包括高級光刻膠專業(yè)人才的獨立研發(fā)團隊,建成1500平方米的研發(fā)中心和百升級光刻膠中試生產(chǎn)線,產(chǎn)品研發(fā)進展和成果得到業(yè)界專家的認可。

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經(jīng)過幾年的業(yè)務(wù)布局和市場拓展,南大光電產(chǎn)品行業(yè)覆蓋由LED逐步拓展到集成電路、半導(dǎo)體、面板等行業(yè),業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型實現(xiàn)重大突破。其中,南大光電在MO源的合成制備、純化技術(shù)、分析檢測、封裝容器等方面已全面達到國際先進水平,成功打破國外在這一重要光電子原材料領(lǐng)域的壟斷地位。

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南大光電憑借多年來的技術(shù)積累優(yōu)勢,先后承擔(dān)并攻克了國家“863計劃”MO源全系列產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化、國家“02專項”高純電子氣體(砷烷、磷烷)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化、ALD/CVD前驅(qū)體產(chǎn)業(yè)化等多個困擾我國數(shù)十年的項目,填補了多項國內(nèi)空白。

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2017年,公司承擔(dān)了集成電路芯片制造用關(guān)鍵核心材料之一的193nm 光刻膠材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目,先后獲得國家“02專項”之“193nm光刻膠及配套材料關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)項目”和“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”的正式立項。


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