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國星光電成功點亮Micro LED新品nStar Ⅲ

近日，國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項目迎來關(guān)鍵里程碑式進展，成功點亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ，該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅(qū)動背板，像素間距縮小到0.078mm，分辨率360*480，采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元，可實現(xiàn)屏幕峰值亮度＞1500nits，強光照射下仍可保持高清顯示畫面，相關(guān)技術(shù)成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。


圖片

國星光電 nStar Ⅲ技術(shù)優(yōu)勢：

高精度轉(zhuǎn)移

采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線，實現(xiàn)＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉(zhuǎn)移良率＞99.9%。此外，國星Micro LED研發(fā)平臺未來還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。

高集成封裝

采用國星光電自主研發(fā)的Micro LED玻璃基封裝專利技術(shù)，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。

至此，國星光電已實現(xiàn)像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場景應(yīng)用的“未來國星屏”矩陣。

來源：國星光電