光刻膠產(chǎn)能緊缺，全球供應(yīng)格局如何？
以下文章來(lái)源于電子工程師俱樂(lè)部?，作者李晉日前，央視財(cái)經(jīng)報(bào)道，當(dāng)前制造芯片的材料產(chǎn)能緊缺，企業(yè)進(jìn)口光刻膠困難。據(jù)海關(guān)人員介紹，此前半導(dǎo)體企業(yè)每次能采購(gòu)到100多公斤光刻膠，而現(xiàn)在每次只能采購(gòu)到10-20公斤，同時(shí)光刻膠的價(jià)格也在上漲。
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在價(jià)格方面，受下游需求不斷增加，芯片價(jià)格上漲的影響，光刻膠的價(jià)格也迎來(lái)了上漲。
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南京海關(guān)工作人員介紹，僅在今年1-2月，江蘇昆山口岸進(jìn)口的集成電路金額總數(shù)就超過(guò)了100億元人民幣，在進(jìn)口集成電路數(shù)量和去年基本持平的情況下，進(jìn)口金額卻增長(zhǎng)了20%。此外，該海關(guān)人員也表示，此前企業(yè)每次能采購(gòu)到100多公斤光刻膠，而現(xiàn)在每次只能采購(gòu)到10-20公斤。很明顯，最近半導(dǎo)體行業(yè)的缺“芯”難題，已經(jīng)上導(dǎo)到上游材料領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體光刻膠的行業(yè)集中度高，龍頭企業(yè)市場(chǎng)份額高，行業(yè)利潤(rùn)水平高，且暫無(wú)潛在替代產(chǎn)品。作為半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的上游材料部分，光刻膠產(chǎn)品的質(zhì)量直接影響下游芯片產(chǎn)品的質(zhì)量。下游企業(yè)對(duì)光刻膠產(chǎn)品的質(zhì)量和供貨能力十分重視。
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光刻膠根據(jù)用途主要可分為以下幾類(lèi)：半導(dǎo)體光刻膠、LCD光刻膠、PCB光刻膠以及其他光刻膠。其中，半導(dǎo)體光刻膠約占27%，LCD光刻膠和PCB光刻膠分別各占24%，其他光刻膠產(chǎn)品占據(jù)25%。本文重點(diǎn)討論半導(dǎo)體光刻膠。半導(dǎo)體光刻膠主要通過(guò)不斷縮短曝光波長(zhǎng)，從最初的寬譜紫外向g線-i線-KrF-ArF-EUV（13.5nm）發(fā)展，提高極限分辨率來(lái)滿足不斷精進(jìn)的光刻技術(shù)需求。當(dāng)前，半導(dǎo)體市場(chǎng)對(duì)g線和i線光刻膠的使用量最大，KrF、ArF、EUV光刻膠主要配合高端的光刻機(jī)應(yīng)用，日、美企業(yè)占據(jù)了絕大部分高端光刻膠的產(chǎn)能。
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目前，日本占據(jù)了全球9成左右的光刻膠市場(chǎng)份額。全球?qū)＠植记笆墓?，約有7成來(lái)自日本。其中，日本JSR和東京日化、信越化工掌握著EUV光刻膠的供應(yīng)，富士膠片和住友化學(xué)也計(jì)劃將在2021年量產(chǎn)EUV光刻膠。
表1 盤(pán)點(diǎn)13家光刻膠供應(yīng)商產(chǎn)品進(jìn)度2019年，日本宣布對(duì)韓國(guó)進(jìn)行出口限制，其中就包括了光刻膠材料，引發(fā)了韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)危機(jī)。實(shí)際上，韓國(guó)的東進(jìn)化學(xué)、LG化學(xué)、錦湖化學(xué)、COTEM等也生產(chǎn)光刻膠。比如，錦湖化學(xué)為SK海力士半導(dǎo)體供應(yīng)ArFDry產(chǎn)品以及部分ArF Immersion產(chǎn)品，東進(jìn)化學(xué)為半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)KrF以下等級(jí)部分產(chǎn)品。
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另外，值得肯定的是，國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)在近年來(lái)也在集中力量攻克高端光刻膠的產(chǎn)業(yè)化。以寧波南大光電為例，該公司自主研發(fā)的ArF193nm光刻膠產(chǎn)品在2020年12月通過(guò)了客戶的使用認(rèn)證，這意味著我國(guó)ArF光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破。同時(shí)，上海新陽(yáng)也在積極攻克ArF193nm技術(shù)，本月初該公司發(fā)布公告披露了關(guān)于購(gòu)買(mǎi)ASML-1400光刻機(jī)的最新進(jìn)展。上海新陽(yáng)表示，該公司采購(gòu)的ASML干法光刻機(jī)設(shè)備已經(jīng)順利交付，對(duì)加快193nm ArF干法光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度有積極影響。據(jù)了解，ArF光刻膠可憑借雙/多重曝光技術(shù)，增加光刻膠使用次數(shù)，理論上是可用于28-7nm制程工藝的芯片中。
來(lái)源：電子工程師俱樂(lè)部；作者：李晉
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